解決方案
最新上架
更多- TD03G系列薄膜電阻|0603封裝精密貼片電阻|風(fēng)華電阻
- 億光插件式LED——不僅是光源,更是場(chǎng)景創(chuàng)新的“光核”
- CE常見(jiàn)問(wèn)題解析丨NB模塊時(shí)間偏差大,如何校準(zhǔn)晶振電路
- EPSON愛(ài)普生TG2016SMN溫補(bǔ)晶振在多領(lǐng)域小型化設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
- 愛(ài)普生車規(guī)級(jí)32.768kHz有源晶振SG-3031CMA詳解
- TDA8547TS恩智浦-NXP音頻放大器的國(guó)產(chǎn)替代方案:UTC TDA8547
- TI、安世三態(tài)輸出八路透明D型鎖存器邏輯電路國(guó)產(chǎn)替代型號(hào)對(duì)照
- 上海貝嶺高速數(shù)字隔離方案助力RS-485速率與能效雙提升
- 新潔能新品mos:40V Gen.3 SGT MOSFET系列,功率密度與效率全面升級(jí)
- 安世與德州儀器的單路反相器的國(guó)產(chǎn)替代型號(hào)有哪些?長(zhǎng)晶科技邏輯芯片全面替代
國(guó)巨薄膜精密電阻RT2010DKD07、RT2010DKE07、RT2010FKD07、RT2010FKE07系列介紹
國(guó)巨薄膜精密電阻RT2010系列是全球被動(dòng)組件領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)巨公司推出的高精密薄膜電阻產(chǎn)品,采用先進(jìn)的濺射技術(shù),在陶瓷基板上形成鎳鉻(NiCr)電阻層。該系列電阻具有高精度、高穩(wěn)定性、低電流噪聲等特性,廣泛應(yīng)用于對(duì)精度和穩(wěn)定性要求較高的電子設(shè)備中。今天,南山電子介紹一下國(guó)巨薄膜精密電阻RT2010DKD07、RT2010DKE07、RT2010FKD07、RT2010FKE07系列。

技術(shù)參數(shù)
- 封裝類型:2010封裝,尺寸為2.0mm×1.0mm。
- 額定功率:1/2W。
- 最大工作電壓:200V。
- 最大負(fù)載電壓:400V。
- 溫度范圍:-55℃~+155℃。
- 阻值范圍:4.7Ω~1MΩ。
- 阻值精度:RT2010DKD07和RT2010FKD07為±0.1%,RT2010DKE07和RT2010FKE07為±0.25%。
- 溫度系數(shù):RT2010DKD07和RT2010DKE07為±10ppm/℃,RT2010FKD07和RT2010FKE07為±15ppm/℃。
- 重量:16.370 mg/pcs。
制造工藝
國(guó)巨薄膜精密電阻RT2010系列采用黃光微影和薄膜技術(shù)制造,鎳鉻薄膜材料選擇性沉積在高純度氧化鋁基板上,經(jīng)過(guò)熱處理后,使電阻的溫度系數(shù)(TCR)更加穩(wěn)定,并通過(guò)激光修整技術(shù)調(diào)整到極精確的電阻值。
選擇高純度的陶瓷基板(如氧化鋁)作為載體,這種材料具有良好的絕緣性能和熱穩(wěn)定性?;撞牧闲杞?jīng)過(guò)清洗和處理,確保表面干凈、平整。
采用先進(jìn)的濺射技術(shù)(物理氣相沉積,PVD)或真空蒸發(fā)技術(shù),將鎳鉻(NiCr)等電阻材料以薄膜形式均勻沉積在陶瓷基板上。薄膜的厚度和均勻性直接影響電阻的性能,因此這一過(guò)程需要嚴(yán)格控制工藝參數(shù)。
對(duì)成品電阻進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試,包括電阻值測(cè)試、溫度系數(shù)測(cè)試、耐壓測(cè)試等,確保其性能符合標(biāo)準(zhǔn)。此外,還會(huì)進(jìn)行老化測(cè)試,以驗(yàn)證電阻的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠性。











logo.png)









創(chuàng)_2025031780bafae8.png)



